主要特性与技术指标

适合功率器件表征的综合解决方案，高达 1500 A 和 10 kV

中等电流测量和高电压偏置（例如，500 mA，1200 V）

μΩ 导通电阻测量功能

高电压偏置时，可进行精确的 sub-pA 电平电流测量

在 -50 ℃ 至 +250 ℃ 温度范围内进行全自动热测试

广泛的器件测量功能

可在高达 3000 V 直流偏置时执行全自动电容测量（Ciss、Coss、Crss 等）

10 μs 高功率脉冲测量

封装器件和晶圆上 IGBT/FET 栅极电荷测量

高电压/强电流快速切换选件，适用于 GaN 电流崩塌效应表征

多达 5 个高电压（3 kV）电源/测量通道，提供最大的灵活性

多达 5 个高电压（3 kV）电源/测量通道，提供最大的灵活性

改进的测量效率

在高电压和强电流测量之间自动切换，无需重新布线

自动测试电路形成，可用于封装器件和晶圆上器件的晶体管结电容（Ciss、Coss、Crss、Cgs、Cgd、Cds 等）测量

具有互锁机制的标准测试夹具，可进行封装功率器件测试

支持高达 200 A 和 10 kV 的高功率晶圆上测试

示波器视图支持对应用电压和电流波形的验证

MS Windows EasyEXPERT 软件简化了数据管理和分析流程

可升级和可扩展的硬件体系结构

广泛的测量模块选择

支持具有高达 6 个连接引脚的高功率器件