主要特性与技术指标

测量具有高压偏置的晶体管输入、输出和反向转移电容（Ciss、Coss、Crss、Cies、Coes、Cres）

测量独立端接电容（Cgs、Cgd、Cds、Cge、Cgc、Cce）

测量常开型器件的电容，例如 SiC JFET 或 GaN FET

测量内置栅极电阻（Rg）

当栅极电压从负电压切换为正电压时，可以连续测量电容

轻松切换泄漏测试和电容测量

工作电压偏置高达 +/-3 kV

简单易用、全自动测量

B1507A 能够识别在实际电路工作电压偏置条件下的不合格器件（偏置高达 3 kV），提供电容测量功能和泄漏测试功能，是弥补传统 IV 测试设备（例如曲线追踪仪）性能不足的最佳解决方案。